西电广州研究院第三代半导体创新中心攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
近期,第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队在蓝宝石基增强型e-GaN电力电子芯片量产技术研发方面取得突破性进展。研发成果6英寸增强型e-GaN电力电子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6-Inch Sapphire by CMOS-Compatible Process: A Promising Game Changer for Power Electronics”为题发表在高水平行业期刊IEEE Electron Device Letters上(https://ieeexplore.ieee.org/stamp/st...
2024-07-08